特許
J-GLOBAL ID：202003003160877181

ウェーハの加工方法

発明者：
高橋 宏行

高橋 宏行 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-191707
公開番号（公開出願番号）：特開2020-061459
出願日： 2018年10月10日
公開日（公表日）： 2020年04月16日
要約：
【課題】コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割する方法である。ウェーハの加工方法は、ウェーハの機能層側に基台を貼着する保護部材配設ステップST1と、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を基板の裏面付近に位置付け、ウェーハの裏面から分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、裏面に表出する改質層をウェーハに形成する改質層形成ステップST2と、チャックテーブルで基台側を保持したウェーハの裏面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、改質層を含む分割予定ラインに沿った基板の領域をエッチングして除去するプラズマエッチングステップST3と、機能層を分割する機能層切断ステップST4と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、 該ウェーハの表面の該機能層側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、 該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該基板の裏面付近に位置付け、ウェーハの裏面から該分割予定ラインに沿って該レーザー光線を照射し、裏面に表出する改質層又は基板の内部の改質層から延びたクラックをウェーハに形成する改質層形成ステップと、 チャックテーブルで該保護部材側を保持したウェーハの裏面側にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該改質層又は基板の内部の改質層から延びたクラックを含む該分割予定ラインに沿った基板の領域をエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、 該プラズマエッチングステップを実施した後に、該機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から露出した該機能層に照射し、分割予定ラインに沿って該機能層を分割する機能層分割ステップと、を備えるウェーハの加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/306 ,  B23K 26/53 ,  B23K 26/38
FI (5件)：
H01L21/78 S ,  H01L21/78 B ,  H01L21/302 105A ,  B23K26/53 ,  B23K26/38 Z
Fターム (29件)：
4E168AD07 ,  4E168AD18 ,  4E168AE01 ,  4E168CA06 ,  4E168DA04 ,  4E168HA01 ,  4E168JA12 ,  4E168JA13 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004DB01 ,  5F063AA43 ,  5F063BA07 ,  5F063BA43 ,  5F063BA47 ,  5F063CB03 ,  5F063CB07 ,  5F063CB13 ,  5F063CB18 ,  5F063CB26 ,  5F063CC21 ,  5F063CC25 ,  5F063DD46 ,  5F063DD59 ,  5F063DD89
引用特許：
審査官引用 (6件)
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