特許

J-GLOBAL ID：202003003538051872

半導体装置

発明者： 中川 政雄 ,  桑野 亮司 ,  篠竹 洋平
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
代理人 (2件)： めぶき国際特許業務法人 ,  松尾 誠剛
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018007731
公開番号（公開出願番号）：WO2019-167218
出願日： 2018年03月01日
公開日（公表日）： 2019年09月06日
要約：

半導体装置1は、半導体チップ3と、半導体チップ3にはんだ6を介して電気的に接続された電極接続部41、および電極接続部41から周囲外側に向けて突出した突出部42を含むリード4とを備え、リード4は、突出部42の半導体チップ3側の面に、リード42の幅方向Wに沿って一方端から他方端まで横断するはんだ材流出防止用溝形成領域R2を有することを特徴とする。 本発明の半導体装置によれば、半導体チップとリードとの間のはんだが肉厚に形成された場合であっても、製造時にリード上の所望しない場所へはんだ材が流出することを防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、 前記半導体チップにはんだを介して電気的に接続された電極接続部、および、平面的に見て前記電極接続部から外側に向けて突出した突出部を含むリードとを備え、 前記リードは、前記突出部の前記半導体チップ側の面に、前記リードの幅方向に沿って一方端から他方端まで横断するはんだ材流出防止用溝形成領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/48

FI (3件)：

H01L21/60 321E ,  H01L23/48 S ,  H01L21/60 321V