特許

J-GLOBAL ID：202003003825149891

低欠陥化含窒素炭素材料の製造方法

発明者： 向井 紳 ,  荻野 勲 ,  岩村 振一郎 ,  一家 拓矢 ,  小野 博信
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学 ,  株式会社日本触媒
代理人 (1件)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-227592
公開番号（公開出願番号）：特開2020-090409
出願日： 2018年12月04日
公開日（公表日）： 2020年06月11日
要約：

【課題】酸素還元触媒等の触媒等として好適に用いることができる材料を提供する。【解決手段】ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する含窒素炭素材料に、アンモニア及び/又はアミンを含む雰囲気下でマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする低欠陥化含窒素炭素材料の製造方法である。また、ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する含窒素炭素材料に、アンモニア及び/又はアミンを含む雰囲気下でマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする含窒素炭素材料の改質方法である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する含窒素炭素材料に、アンモニア及び/又はアミンを含む雰囲気下でマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする低欠陥化含窒素炭素材料の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 32/05 ,  H01M 4/90 ,  H01M 4/88

FI (3件)：

C01B32/05 ,  H01M4/90 X ,  H01M4/88 K

Fターム (31件)：

4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AC07B ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC27B ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146BA01 ,  4G146BA02 ,  4G146BA04 ,  4G146BA38 ,  4G146BC15 ,  4G146BC22 ,  4G146BC23 ,  4G146BC26 ,  4G146BC29 ,  4G146BC31B ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146BC41 ,  4G146BC47 ,  5H018AS03 ,  5H018BB00 ,  5H018BB16 ,  5H018DD05 ,  5H018EE05 ,  5H018EE11 ,  5H018HH09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• カーボンナノファイバーの製造方法およびカーボンナノファイバー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-023070   出願人：旭カーボン株式会社, 国立大学法人北海道大学

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Preparation and electrochemical characterization of nitrogen doped graphene by microwave as supporti