特許

J-GLOBAL ID：202003003861955136

薄膜トランジスタアレイ基板、画像表示装置用基板、画像表示装置、およびこれらの製造方法

発明者： 長谷 妃奈
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-219137
公開番号（公開出願番号）：特開2020-088117
出願日： 2018年11月22日
公開日（公表日）： 2020年06月04日
要約：

【課題】形成後の工程による影響を受けず、コストが増加することを抑えることが可能な半導体層膜厚および保護層膜厚を組み合わせた薄膜トランジスタアレイ基板、画像表示装置用基板、画像表示装置、およびこれらの製造方法を提供する。【解決手段】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタアレイ基板は、基板と、基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁体層と、ソース電極およびドレイン電極と、ドレイン電極と接続した画素電極と、半導体層と、保護層と、層間絶縁体層とを備えた、半導体層の膜厚が15nm以上70nm以下であり、保護層の膜厚が70nm以上250nm以下であり、保護層の材料がフッ素系樹脂である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁体層と、ソース電極およびドレイン電極と、前記ドレイン電極と接続した画素電極と、半導体層と、保護層と、層間絶縁体層とを備え、 前記半導体層の膜厚が15nm以上70nm以下であり、 前記保護層の膜厚が70nm以上250nm以下であり、 前記保護層の材料がフッ素系樹脂である、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタアレイ基板。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00

FI (7件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/78 617T ,  G09F9/30 310 ,  G09F9/00 338

Fターム (50件)：

5C094AA37 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EB05 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094JA08 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK42 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ06 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05