特許

J-GLOBAL ID：202003003901528600

圧電素子および圧電素子の製造方法

発明者： 但木 大介 ,  平野 愛弓 ,  庭野 道夫 ,  今井 裕司
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学 ,  学校法人栴檀学園 ,  独立行政法人国立高等専門学校機構
代理人 (1件)： 特許業務法人きさ特許商標事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-155471
公開番号（公開出願番号）：特開2020-031125
出願日： 2018年08月22日
公開日（公表日）： 2020年02月27日
要約：

【課題】簡便に製造できるとともに圧電性を向上させた圧電素子および圧電素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】圧電素子において、基板と、基板上に形成され、表面修飾が施された電極と、電極上に形成されるβ型ポリフッ化ビニリデン膜と、を備え、表面修飾は、β型ポリフッ化ビニリデン膜を配向するものとした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成され、表面修飾が施された電極と、 前記電極上に形成されるβ型ポリフッ化ビニリデン膜と、 を備え、 前記表面修飾は、前記β型ポリフッ化ビニリデン膜を配向するものであることを特徴とする圧電素子。

IPC (7件)：

H01L 41/193 ,  H01L 41/45 ,  H01L 41/113 ,  B32B 27/30 ,  B32B 7/025 ,  B05D 7/24 ,  B05D 5/12

FI (7件)：

H01L41/193 ,  H01L41/45 ,  H01L41/113 ,  B32B27/30 D ,  B32B7/02 104 ,  B05D7/24 302L ,  B05D5/12 Z

Fターム (13件)：

4D075BB68X ,  4D075CA21 ,  4D075DC21 ,  4D075EA41 ,  4D075EB17 ,  4F100AH04C ,  4F100AK19D ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100EH46D ,  4F100GB41 ,  4F100JG01B ,  4F100JG10