ストレージ制御装置及びプログラム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-230079
公開番号（公開出願番号）：特開2020-091796
出願日： 2018年12月07日
公開日（公表日）： 2020年06月11日
要約：

【課題】書き換え可能回数に制限がある半導体記憶装置の記憶領域を有効に利用する。【解決手段】半導体記憶装置20の制御を行なうストレージ制御装置10であって、半導体記憶装置20の記憶領域22に対して、連続するビット列において所定のビットパターンを除外してデータを書き込む第1書き込み処理部14と、記憶領域22のうち削除可能なデータを記憶している領域のビット列に対して、所定のビットパターンを書き込むことにより、追記データを書き込む第2書き込み処理部14と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体記憶装置の制御を行なうストレージ制御装置であって、前記半導体記憶装置の記憶領域に対して、連続するビット列において所定のビットパターンを除外してデータを書き込む第1書き込み処理部と、前記記憶領域のうち削除可能なデータを記憶している領域の前記ビット列に対して、前記所定のビットパターンを書き込むことにより、追記データを書き込む第2書き込み処理部と、を備える、ストレージ制御装置。

IPC (3件)：

G06F 12/00 , G06F 3/06 , G06F 3/08

FI (3件)：

G06F12/00 542J , G06F3/06 301N , G06F3/08 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

メモリ管理装置及びメモリ管理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-209997 出願人：株式会社東芝
WOMメモリーを備えたデータ処理装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-551857 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ

引用文献：

審査官引用 (4件)

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