特許
J-GLOBAL ID:202003004075598695

ヒドリドシランの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-524900
公開番号(公開出願番号):特表2020-511400
出願日: 2016年12月09日
公開日(公表日): 2020年04月16日
要約:
本発明は、触媒としてカチオン性Si(II)化合物の存在下でSi-H基を含むシロキサンを反応させるヒドリドシランの製造方法に関する。
請求項(抜粋):
触媒としてカチオン性Si(II)化合物の存在下でSi-H基を含むシロキサンを反応させるヒドリドシランの製造方法。
IPC (1件):
C07F 7/08
FI (1件):
C07F7/08 B
Fターム (13件):
4H039CA92 ,  4H039CJ30 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ02 ,  4H049VR11 ,  4H049VR12 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VS78 ,  4H049VT10 ,  4H049VT43 ,  4H049VW02

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