特許

J-GLOBAL ID：202003004451410120

レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 水村 通伸
出願人/特許権者： 株式会社ブイ・テクノロジー
代理人 (2件)： 特許業務法人白坂 ,  高梨 玲子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-142773
公開番号（公開出願番号）：特開2018-014401
特許番号：特許第6781872号
出願日： 2016年07月20日
公開日（公表日）： 2018年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 レーザ光を発生する光源と、 薄膜トランジスタに被着されたアモルファスシリコン薄膜の互いに異なる複数の領域に前記レーザ光を照射する投影レンズと、を備え、 前記投影レンズは、前記薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極の間が複数のチャネル領域によって並列して接続されるように、前記アモルファスシリコン薄膜の前記互いに異なる複数の領域に前記レーザ光を照射する、 レーザ照射装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/268 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018377   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所