特許
J-GLOBAL ID：202003004587756012
撮像装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-194563
公開番号（公開出願番号）：特開2020-064912
特許番号：特許第6689936号
出願日： 2018年10月15日
公開日（公表日）： 2020年04月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 拡散領域を有する半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第1半導体膜を形成し、
前記絶縁膜および前記第1半導体膜の、平面視において前記拡散領域に重なる第1領域に位置する部分を除去することで貫通孔を形成し、
前記貫通孔中および前記第1半導体膜上に第2半導体膜を形成し、
前記第1半導体膜および前記第2半導体膜のうち、前記第1領域とは異なる第2領域に位置する部分を除去することで、前記拡散領域に接続された前記第2半導体膜を含むコンタクトプラグと、前記拡散領域をソースおよびドレインの一方として含む第1トランジスタのゲート電極であって、前記半導体基板の表面からの高さが前記コンタクトプラグの高さと等しく、かつ、前記第1半導体膜および前記第2半導体膜からなるゲート電極と、を形成し、
前記拡散領域および前記コンタクトプラグに電気的に接続され、入射光を電荷に変換する光電変換部を形成する、
撮像装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H04N 5/369 ( 201 1.01)
, H04N 5/374 ( 201 1.01)
H01L 27/146 E
, H04N 5/369
, H04N 5/374
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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