特許

J-GLOBAL ID：202003004671216953

原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法

発明者： 八木 大地 ,  片野 智一 ,  金原 崇浩
出願人/特許権者： 株式会社SUMCO
代理人 (1件)： 特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-188480
公開番号（公開出願番号）：特開2020-055718
出願日： 2018年10月03日
公開日（公表日）： 2020年04月09日
要約：

【課題】石英坩堝を破損することなくチャージを適切に行える原料供給方法を提供すること。【解決手段】原料供給方法は、石英坩堝を加熱するヒータのパワーを調整して、シリコン融液の表面を固化する固化工程と、表面の固化部分に固形原料を投下する投下工程と、固化部分および固形原料を融解する融解工程とを備え、固化工程は、従前のシリコン単結晶の製造時において、種結晶をシリコン融液に着液させる着液工程を実施したときのヒータのパワーの値に基づいて、当該固化工程のヒータのパワーを調整する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により1個の石英坩堝を用いてシリコン単結晶を製造するに際し、固形原料を前記石英坩堝内のシリコン融液にチャージする原料供給方法であって、 前記石英坩堝を加熱するヒータのパワーを調整して、前記シリコン融液の表面を固化する固化工程と、 前記表面の固化部分に前記固形原料を投下する投下工程と、 前記固化部分および前記固形原料を融解する融解工程とを備え、 前記固化工程は、従前のシリコン単結晶の製造時において、種結晶を前記シリコン融液に着液させる着液工程を実施したときの前記ヒータのパワーの値に基づいて、当該固化工程のヒータのパワーを調整することを特徴とする原料供給方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/02

FI (2件)：

C30B29/06 502A ,  C30B15/02

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF05 ,  4G077EG07 ,  4G077EG15 ,  4G077EH07 ,  4G077PF34 ,  4G077PF53