特許

J-GLOBAL ID：202003004902449050

電気光学装置および電子機器

発明者： 二村 徹
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (4件)： 渡辺 和昭 ,  磯部 光宏 ,  仲井 智至 ,  松岡 宏紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-224615
公開番号（公開出願番号）：特開2020-086343
出願日： 2018年11月30日
公開日（公表日）： 2020年06月04日
要約：

【課題】走査線から半導体層への電気的な影響を抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置100の第1基板19において、トランジスター30のゲート電極33aと走査線3aとの層間には、定電位が印加された第1容量電極4aおよび画素電極9aと電気的に接続された第2容量電極5aを備えた蓄積容量素子55が設けられ、蓄積容量素子55は、トランジスター30の半導体層31aと重なっている。このため、画素電極9aの側から入射した光やその回折光が半導体層31aに入射することを防止できるとともに、走査線3aの電位の半導体層31aへの影響を抑制することができる。半導体層31aの第1領域31dのチャネ幅方向の両側には、コンタクトホール内の第1容量電極4aによって遮光壁が設けられている。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

ゲート電極を有するトランジスターと、 前記ゲート電極と電気的に接続された走査線と、 前記ゲート電極と前記走査線との層間に定電位が印加された第1容量電極を有する蓄積容量素子と、 を備え、 前記蓄積容量素子は、前記トランジスターの半導体層と重なっていることを特徴とする電気光学装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G09F 9/30

FI (6件)：

G02F1/1368 ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 619B ,  G09F9/30 349Z ,  G09F9/30 349C

Fターム (55件)：

2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192BC42 ,  2H192CB02 ,  2H192CB53 ,  2H192CC07 ,  2H192CC33 ,  2H192CC73 ,  2H192DA13 ,  2H192DA23 ,  2H192DA43 ,  2H192DA52 ,  2H192EA22 ,  2H192EA32 ,  2H192EA72 ,  2H192EA74 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094HA08 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL09 ,  5F110HL14 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72