シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：好宮幹夫 , 小林俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-126494
公開番号（公開出願番号）：特開2020-009793
出願日： 2018年07月03日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
要約：

【課題】シリコン単結晶の炭素の濃度を正確かつ高精度に測定する方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶の炭素濃度を評価する方法であって、シリコン単結晶における、ドーパント及び炭素以外の軽元素不純物のうちいずれか一つ以上の濃度(酸素濃度のみの場合を除く)を測定する第1の工程と、該第1の工程後に、シリコン単結晶中に粒子線を照射する第2の工程と、該第2の工程により発生する炭素関連欠陥または格子間Siクラスターの濃度を測定する第3の工程と、該第3の工程により測定した炭素関連欠陥または格子間Siクラスターの濃度と、第1の工程により測定した前記ドーパント及び炭素以外の軽元素不純物のうちいずれか一つ以上の濃度を用いて、シリコン単結晶中の炭素濃度を評価する第4の工程と、を含むシリコン単結晶中の炭素濃度評価方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶に含まれる炭素濃度を評価する方法であって、前記シリコン単結晶における、ドーパント及び炭素以外の軽元素不純物のうちいずれか一つ以上の濃度(酸素濃度のみの場合を除く)を測定する第1の工程と、該第1の工程後に、前記シリコン単結晶中に粒子線を照射する第2の工程と、該第2の工程により発生する炭素関連欠陥または格子間Siクラスターの濃度を測定する第3の工程と、該第3の工程により測定した前記炭素関連欠陥または格子間Siクラスターの濃度と、前記第1の工程により測定した前記ドーパント及び炭素以外の軽元素不純物のうちいずれか一つ以上の濃度を用いて、前記シリコン単結晶中の炭素濃度を評価する第4の工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶中の炭素濃度評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01N 21/66 , G01N 21/356

FI (3件)：

H01L21/66 L , G01N21/66 , G01N21/3563

Fターム (19件)：

2G043AA01 , 2G043AA03 , 2G043BA07 , 2G043CA05 , 2G043EA01 , 2G043EA11 , 2G043FA06 , 2G043KA01 , 2G043NA01 , 2G059AA01 , 2G059BB16 , 2G059CC03 , 2G059EE01 , 2G059EE11 , 2G059HH01 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CA18 , 4M106CB01

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