特許

J-GLOBAL ID：202003005499037070

半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤ

発明者： 小山田 哲哉 ,  宇野 智裕 ,  山田 隆 ,  小田 大造
出願人/特許権者： 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 ,  日鉄マイクロメタル株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人ドライト国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018029589
公開番号（公開出願番号）：WO2019-031498
出願日： 2018年08月07日
公開日（公表日）： 2019年02月14日
要約：

キャピラリ摩耗を抑制することができる半導体装置用ボンディングワイヤを提供する。半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む1つの平面に垂直な方向に対して角度差が15度以下である<110>結晶方位と<111>結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で40%以上90%以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む1つの平面に垂直な方向に対して角度差が15度以下である<110>結晶方位と<111>結晶方位の存在比率の合計が、平均面積率で40%以上90%以下であることを特徴とする半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  C22C 9/00 ,  C22F 1/08

FI (3件)：

H01L21/60 301F ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 C

Fターム (2件)：

5F044FF06 ,  5F044FF10