特許
J-GLOBAL ID:202003005687918423
III族窒化物結晶の製造方法および種基板
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人鷲田国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-028247
公開番号(公開出願番号):特開2020-132475
出願日: 2019年02月20日
公開日(公表日): 2020年08月31日
要約:
【課題】割れやクラックの無い大きなサイズのIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】基板1の上に、複数のIII族窒化物の結晶を、複数の種結晶として配置する種結晶準備工程と、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウム、およびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素、ならびにアルカリ金属を含む融液に種結晶の表面を接触させることによって、III族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程と、を含み、種結晶準備工程において、複数の種結晶を基板上に設けられた六角形の領域2内部に配置する、III族窒化物結晶の製造方法。結晶成長工程において、六角形の領域2の外周の各辺を、III族窒化物結晶の(1-100)面と一致させる、III族窒化物結晶の製造方法。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板の上に、複数のIII族窒化物の結晶を、複数の種結晶として配置する種結晶準備工程と、
窒素を含む雰囲気下、ガリウム、アルミニウム、およびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素、ならびにアルカリ金属を含む融液に前記種結晶の表面を接触させることによって、前記種結晶上にIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程と、
を含み、
前記種結晶準備工程において、前記複数の種結晶を前記基板上に設けられた六角形の領域内部に配置する、
III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (8件):
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA02
引用特許:
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