特許

J-GLOBAL ID：202003005721066482

固体撮像素子及び電子機器

発明者： 田中 晴美
出願人/特許権者： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人 (1件)： 渡邊 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-166680
公開番号（公開出願番号）：特開2020-043098
出願日： 2018年09月06日
公開日（公表日）： 2020年03月19日
要約：

【課題】画質を向上させることができる固体撮像素子を提供すること。【解決手段】受光した光を電荷に変換する光電変換部と、該光電変換部から転送された電荷を保持するメモリー部と、光を遮光する遮光部と、を備え、該光電変換部及び該メモリー部が半導体基板内に形成され、該遮光部が、該メモリー部への光が入射する側である該半導体基板の裏面側に蓋部として形成され、さらに該光電変換部と該メモリー部との間であって、該半導体基板内を延在するように埋め込められる第1埋め込み部と第2埋め込み部とを有して連続的に形成され、該第1埋め込み部が、該光電変換部から該メモリー部に電荷を転送する転送領域に配され、該第2埋め込み部が、該転送領域以外に配され、該メモリー部への光が入射する側である該半導体基板の裏面側に形成された該遮光部の蓋部には少なくとも1つの凹部構造を有する、固体撮像素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

受光した光を電荷に変換する光電変換部と、 該光電変換部から転送された電荷を保持するメモリー部と、 光を遮光する遮光部と、を備え、 該光電変換部及び該メモリー部が半導体基板内に形成され、 該遮光部が、該メモリー部への光が入射する側である該半導体基板の裏面側に蓋部として形成され、さらに該光電変換部と該メモリー部との間であって、該半導体基板内を延在するように埋め込められる第1埋め込み部と第2埋め込み部とを有して連続的に形成され、 該第1埋め込み部が、該光電変換部から該メモリー部に電荷を転送する転送領域に配され、該第2埋め込み部が、該転送領域以外に配され、 該メモリー部への光が入射する側である該半導体基板の裏面側に形成された該遮光部の蓋部には少なくとも1つの凹部構造を有する、固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/374 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L27/146 D ,  H04N5/3745 200 ,  H04N5/335 ,  H01L27/146 A

Fターム (21件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA38 ,  4M118GA02 ,  4M118GB04 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024GX01 ,  5C024GY31 ,  5C024HX57