特許
J-GLOBAL ID：202003005745424312

光電変換素子

発明者：
肥後 輝明

肥後 輝明 について

, 
岡本 親扶

岡本 親扶 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-505302
特許番号：特許第6770947号
出願日： 2016年03月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の面と前記第1の面と反対側の第2の面とを有する半導体基板を備え、前記半導体基板は前記第2の面に複数の島状の凹部を有し、前記半導体基板は単結晶半導体基板であり、さらに、 互いに隣り合う前記複数の島状の凹部の間の前記第2の面上に設けられた第1の非晶質半導体膜を備え、前記第1の非晶質半導体膜は第1の導電型を有し、前記第1の非晶質半導体膜は、前記複数の島状の凹部に対応する複数の開口部を有し、さらに、 前記複数の島状の凹部は、側面部および底面部を含み、 前記複数の島状の凹部のそれぞれの上に設けられた複数の島状の第2の非晶質半導体膜を備え、前記第2の非晶質半導体膜は前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有し、 前記側面部および底面部において、前記半導体基板と前記第2の非晶質半導体膜との間に挟まれるように設けられた複数の島状i型非晶質半導体膜を有し、 前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜は、前記複数の島状i型非晶質半導体膜を介して前記側面部および前記底面部に接するように設けられ、前記半導体基板からキャリアを収集可能とし、 さらに、 前記第1の非晶質半導体膜上に設けられた第1の電極と、 前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜のそれぞれの上に設けられた複数の第2の電極とを備え、 前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜の端部、および、前記複数の島状i型非晶質半導体膜の端部は、前記複数の開口部に隣接する前記第1の非晶質半導体膜の端部と重なるように覆う覆い端部を有し、 前記半導体基板の断面方向から見た場合、前記第2の電極は、前記複数の島状の凹部の中に埋まるように、かつ、前記覆い端部上にも設けられ、T字型の形状を有する、光電変換素子。
IPC (2件)：
H01L 31/0747 ( 201 2.01) ,  H01L 31/0224 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 31/06 455 ,  H01L 31/04 260
引用特許：
審査官引用 (3件)

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