特許
J-GLOBAL ID：202003006175646517
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-244303
公開番号（公開出願番号）：特開2019-075189
特許番号：特許第6695413号
出願日： 2018年12月27日
公開日（公表日）： 2019年05月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ワード線と、
前記ワード線と異なる方向に延在するビット線対と、
前記ワード線および前記ビット線対と接続されたメモリセルと、
前記ビット線対に所定の電位を供給して前記メモリセルにデータを書き込む駆動回路とを備え、
第1の電位および前記第1の電位よりも高い第2の電位が前記メモリセルに供給され、
第1の動作モードおよび前記第1の動作モードと異なる第2の動作モードを有する半導体装置であって、
前記駆動回路は、
テストモード信号を伝送するためのテストモード信号線と、
前記第1の電位を供給する第1の電源線と、
前記ビット線対の一方のビット線および前記第2の電位を供給する第2の電源線と電気的に接続された第1のトランジスタと、
前記ビット線対の他方のビット線および前記第2の電源線と電気的に接続された第2のトランジスタと、
前記ビット線対の他方のビット線および前記第1の電源線と電気的に接続された第3のトランジスタと、
を有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極および前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記テストモード信号線に電気的に接続されており、
前記第1の動作モードにおいて、前記駆動回路は、前記ビット線対の一方のビット線に前記第1の電位を供給し、前記ビット線対の他方のビット線に前記第2の電位を供給し、
前記第2の動作モードにおいて、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタがテストモード信号に応じてオンとなり、
前記駆動回路は、前記ビット線対の一方のビット線に前記第2の電位を供給し、かつ、前記第1のトランジスタと前記第3のトランジスタとの競合によって、前記ビット線対の他方のビット線に前記第1の電位よりも高く前記第2の電位よりも低い第3の電位を供給する、
半導体装置。
IPC (2件)：
G11C 29/50 ( 200 6.01)
, G11C 29/06 ( 200 6.01)
G11C 29/50 150
, G11C 29/06
