特許

J-GLOBAL ID：202003006533761889

洗浄方法、洗浄装置、記憶媒体、及び洗浄組成物

発明者： 平野 勲 ,  寺田 正一 ,  中村 淳司 ,  戸島 孝之
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 正林 真之 ,  林 一好
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018003684
公開番号（公開出願番号）：WO2018-198466
出願日： 2018年02月02日
公開日（公表日）： 2018年11月01日
要約：

従来よりも高温で被処理層を分解又は変性させることによって、被処理層を効果的に除去することができる洗浄方法、洗浄装置、記憶媒体、及び洗浄組成物を提供すること。 被処理層を備える基板を加熱した状態で、基板に対して被処理層を分解可能な成分(A)の蒸気を供給し、次いで、成分(A)と反応した被処理層を基板から除去する。成分(A)としては、硝酸、又はスルホン酸が好ましい。スルホン酸としては、フッ素化がアルキルスルホン酸が好ましい。

請求項（抜粋）：

被処理層を備える基板を加熱する加熱工程と、 加熱された前記基板に対して、被処理層を分解可能な成分(A)の蒸気を供給して、前記被処理層と、前記成分(A)とを反応させる反応処理工程と、 前記成分(A)と反応した前記被処理層を前記基板から除去する除去工程と、 を含むことを特徴とする洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/28

FI (8件)：

H01L21/304 645B ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 651B ,  C11D7/08 ,  C11D7/34 ,  C11D7/28

Fターム (51件)：

4H003DA05 ,  4H003DA09 ,  4H003DB01 ,  4H003DC01 ,  4H003DC04 ,  4H003EA03 ,  4H003EB06 ,  4H003EB20 ,  4H003EB21 ,  4H003EB22 ,  4H003EB30 ,  4H003ED02 ,  4H003ED29 ,  4H003ED31 ,  4H003FA04 ,  4H003FA28 ,  5F157AA42 ,  5F157AA48 ,  5F157AA62 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB14 ,  5F157AB16 ,  5F157AB33 ,  5F157AB44 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC04 ,  5F157AC56 ,  5F157BB22 ,  5F157BB45 ,  5F157BE45 ,  5F157BF59 ,  5F157BF63 ,  5F157BF93 ,  5F157BG22 ,  5F157BG23 ,  5F157BG27 ,  5F157BG73 ,  5F157BG75 ,  5F157BG76 ,  5F157BH18 ,  5F157CB02 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CB15 ,  5F157CE36 ,  5F157DB02 ,  5F157DB03 ,  5F157DB22 ,  5F157DB23