特許

J-GLOBAL ID：202003006759558121

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者： 大来 英之 ,  柳原 学 ,  引田 正洋
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (3件)： 新居 広守 ,  寺谷 英作 ,  道坂 伸一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018015785
公開番号（公開出願番号）：WO2018-230136
出願日： 2018年04月17日
公開日（公表日）： 2018年12月20日
要約：

窒化物半導体装置(100)は、基板(1)と、基板(1)の上に形成された第1の窒化物半導体層(3)と、第1の窒化物半導体層(3)の上に形成され、第1の窒化物半導体層(3)と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層(4)と、第2の窒化物半導体層(4)の上に選択的に形成され、p型の第1の不純物を含む第3の窒化物半導体層(5)と、第3の窒化物半導体層(5)に形成され、第2の不純物を含み、第3の窒化物半導体層(5)の比抵抗よりも高い比抵抗を有す高抵抗領域(6)と、高抵抗領域(6)の上に形成されたゲート電極(7)と、を有し、高抵抗領域(6)の端部が、第3の窒化物半導体層(5)の表面端の内側にある。

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に選択的に形成され、p型の第1の不純物を含む第3の窒化物半導体層と、 前記第3の窒化物半導体層に形成され、第2の不純物を含み、前記第3の窒化物半導体層の比抵抗よりも高い比抵抗を有す高抵抗領域と、 前記高抵抗領域の上に形成されたゲート電極と、を有し、 前記高抵抗領域の端部が、前記第3の窒化物半導体層表面端の内側にある 窒化物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 C

Fターム (16件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GR01 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GT01 ,  5F102HC10