特許
J-GLOBAL ID：202003006959902005
反射型フォトマスク
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-030165
公開番号（公開出願番号）：特開2017-146547
特許番号：特許第6728748号
出願日： 2016年02月19日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板、多層反射膜、吸収膜を備える反射型フォトマスクであって、
前記フォトマスクの表面が回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外側の遮光領域
とを含む複数の領域に区分されており、
前記回路パターン領域では、前記基板上に前記多層反射膜と前記吸収膜がこの順に積層さ
れており、かつ、前記吸収膜が回路パターンを構成しており、
前記遮光領域では、前記基板表面が凹凸構造を有しており、
前記遮光領域における、波長200〜400nmの入射光に対する平均反射率が4%以下
であり、
前記凹凸構造は、平面視で、ライン&スペースパターン、ドットパターン、ホールパタ
ーンからなる群より選択される少なくとも1種類のパターンを含み、
前記凹凸構造に含まれる前記少なくとも1種類のパターンは、平面視で、少なくとも1
種類の周期構造を有し、
前記周期構造の少なくとも1つの周期は、前記凹凸構造に含まれる前記少なくとも1種
類のパターンがライン&スペースパターンの場合には20nm〜3000nmであり、前
記凹凸構造に含まれる前記少なくとも1種類のパターンがドットパターンまたはホールパターンの場合には20nm〜4000nmであり、
前記凹凸構造の深さは、前記凹凸構造に含まれる前記少なくとも1種類のパターンがライン&スペースパターンの場合には57nm以上であり、前記凹凸構造に含まれる前記少なくとも1種類のパターンがドットパターンまたはホールパターンの場合には42nm以上であることを特徴とする反射型フォトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/24 ( 201 2.01)
, G02B 5/08 ( 200 6.01)
, G02B 5/02 ( 200 6.01)
G03F 1/24
, G02B 5/08 A
, G02B 5/02 C
