特許
J-GLOBAL ID：202003007086623526
半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半田シートおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-141648
公開番号（公開出願番号）：特開2020-017707
出願日： 2018年07月27日
公開日（公表日）： 2020年01月30日
要約：
【課題】半導体装置の放熱性を向上させる。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半田シート17を介して第1積層体18をベース基板6上に搭載した第2積層体21を準備する工程、第2積層体21をチャンバー内に設置し、チャンバー内に還元ガスを流入しながら、第2積層体21を、半田シート17の半田の融点以下の温度で予備加熱する工程、第2積層体21を、半田シート17の半田の融点以上の温度で本加熱する工程、を含む。半田シート17は、セラミック基板3側に凹部C1、および、ベース基板6側に凹部C3を含み、予備加熱工程で、半田シート17は、凹部C1の両端でメッキ層3dに接触しており、凹部C3の両端でメッキ層6cに接触している。そして、平面視において、凹部C1および凹部C3は、半田シート17の内部に連続して延在し、半田シート17の外部に達している。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
(a)第1面、前記第1面の反対側に位置する第2面、前記第1面上に形成された第1配線、および前記第2面上に形成された第2配線、を備える第1基板を準備する工程、
(b)前記第1配線上に、絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる第1チップおよびダイオードからなる第2チップを搭載した第1積層体を準備する工程、
(c)第3面、前記第3面の反対側に位置する第4面、および前記第3面上に形成された金属層を含む第2基板上に、半田シートを介して前記第1積層体を載置した第2積層体を準備する工程、
(d)前記第2積層体をチャンバー内に設置する工程、
(e)前記チャンバー内に還元性ガスを流入しながら、前記第2積層体を、前記半田シートの半田材の融点よりも低い第1温度で加熱する工程、
(f)前記(e)工程に続き、前記チャンバー内の前記第2積層体を、前記半田シートの半田材の融点よりも高い第2温度で加熱し、前記半田シートの半田材を溶融する工程、
を有し、
前記(e)工程において、
前記半田シートは、前記第1基板側の第5面に第1凹部、および前記第2基板側の第6面に第2凹部を含み、
前記半田シートは、前記第1凹部の両端で前記第2配線に接触しており、
前記半田シートは、前記第2凹部の両端で前記金属層に接触しており、
平面視において、前記第1凹部および前記第2凹部の夫々は、前記半田シートの内部に連続して延在し、前記半田シートの外部に達している、半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/52
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H05K 1/02
, B23K 1/00
, B23K 3/06
, B23K 31/02
, B23K 35/40
H01L21/52 C
, H01L21/52 A
, H01L25/04 C
, H05K1/02 F
, B23K1/00 330E
, B23K3/06 P
, B23K31/02 310B
, B23K35/40 340H
5E338AA18
, 5E338BB71
, 5E338BB75
, 5E338EE02
, 5F047AA14
, 5F047AA19
, 5F047BA18
, 5F047BA19
, 5F047BB05
, 5F047CA01
