特許

J-GLOBAL ID：202003007166401729

センサデバイス

発明者： 福中 敏昭
出願人/特許権者： 旭化成エレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 田中 秀▲てつ▼ ,  森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-199303
公開番号（公開出願番号）：特開2020-068265
出願日： 2018年10月23日
公開日（公表日）： 2020年04月30日
要約：

【課題】センサデバイスにおいて、薄型と半導体基板の変形による特性変動を抑制とを両立する。【解決手段】センサデバイスは、センサチップと、封止部と、再配線層と、を備えている。センサチップは、半導体基板、半導体基板の一方の主面上に形成された半導体層、及び半導体層上に形成された電極を有するセンサ素子を含んでいる。封止部は、センサチップの電極形成面とは反対側の面を露出させるように、センサチップの側面を覆っている。再配線層は、センサチップの電極形成面上に設けられる絶縁層と、電極と接続される再配線とを有している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板、前記半導体基板の一方の主面上に形成された半導体層、及び前記半導体層上に形成された電極を有するセンサ素子を含むセンサチップと、 前記センサチップの前記電極形成面とは反対側の面を露出させるように前記センサチップの側面を覆う封止部と、 前記センサチップの前記電極形成面上に設けられる絶縁層及び前記電極と接続される再配線とを有する再配線層と、 を備えるセンサデバイス。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  G01L 1/18 ,  H01L 23/28 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/023

FI (5件)：

H01L23/12 501P ,  G01L1/18 A ,  H01L23/28 D ,  H01L31/02 B ,  H01L31/02 D

Fターム (28件)：

4M109AA01 ,  4M109DA06 ,  4M109EA02 ,  4M109EB12 ,  4M109EB13 ,  4M109GA01 ,  5F849AA02 ,  5F849AA03 ,  5F849AA04 ,  5F849AB07 ,  5F849BA21 ,  5F849BA25 ,  5F849BB07 ,  5F849DA05 ,  5F849EA11 ,  5F849GA02 ,  5F849GA04 ,  5F849GA06 ,  5F849HA03 ,  5F849HA04 ,  5F849JA03 ,  5F849JA05 ,  5F849JA06 ,  5F849JA13 ,  5F849JA19 ,  5F849LA01 ,  5F849XB02 ,  5F849XB05