特許

J-GLOBAL ID：202003007244212210

接合基板の製造方法及び接合基板

発明者： 内海 淳 ,  鈴木 毅典 ,  後藤 崇之 ,  井手 健介 ,  高木 秀樹 ,  倉島 優一
出願人/特許権者： 三菱重工工作機械株式会社 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-116987
公開番号（公開出願番号）：特開2019-217530
出願日： 2018年06月20日
公開日（公表日）： 2019年12月26日
要約：

【課題】圧電基板と支持基板との接合時の反りの発生を防止し、接合強度の向上を図った接合基板の製造方法、及び、接合基板を提供すること。【解決手段】接合基板20は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶のいずれか1つの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板17と、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、ガリウムリン、ガリウム砒素のいずれか1つの半導体材料の単結晶または多結晶基板から形成される支持基板18と、支持基板18の半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料で圧電基板17の表面17Aに形成される接合層19とを備え、接合層19を介して、圧電基板17と支持基板18とが常温接合される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶のいずれか1つの圧電材料の単結晶基板から形成される圧電基板と、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、ガリウムリン、ガリウム砒素のいずれか1つの半導体材料の単結晶または多結晶基板から形成される支持基板とを常温接合して製造した接合基板の製造方法であって、 前記支持基板に高速原子ビームを照射して、前記半導体材料をスパッタリングすることにより、前記圧電基板に前記半導体材料を非晶質化させた非晶質半導体材料からなる接合層を形成する工程と、 前記接合層を介して、前記圧電基板と前記支持基板とを圧接する工程と、 を備えることを特徴とする接合基板の製造方法。

IPC (3件)：

B23K 20/00 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25

FI (3件)：

B23K20/00 350 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25 C

Fターム (14件)：

4E167AA01 ,  4E167AA17 ,  4E167AA18 ,  4E167AA29 ,  4E167AC03 ,  4E167BB01 ,  4E167CA05 ,  4E167CA20 ,  4E167DA04 ,  5J097AA24 ,  5J097EE08 ,  5J097FF04 ,  5J097HA03 ,  5J097KK09