特許

J-GLOBAL ID：202003007868291859

半導体光集積素子

発明者： 進藤 隆彦 ,  小林 亘 ,  藤原 直樹 ,  金澤 慈
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018033845
公開番号（公開出願番号）：WO2019-059066
出願日： 2018年09月12日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：

DFBレーザとEA変調部とSOAとをモノリシック集積した半導体光集積素子の出力光強度を一定に保つ。半導体光集積素子は、DFBレーザと、DFBレーザに接続されたEA変調器と、DFBレーザおよびEA変調器と同一基板上にモノリシック集積され、EA変調器の出射端に接続されたSOAと、SOAの出射端側に配置され、SOAと同一の組成を有する受光器とを備え、受光器には、順バイアス電圧または順バイアス電流が与えられ、受光器は、DFBレーザおよびSOAへの駆動電流がフィードバック制御されるよう、当該受光器への入力光強度に応じた検出値の変化をモニタするように構成される。

請求項（抜粋）：

DFBレーザと、 前記DFBレーザに接続されたEA変調器と、 前記DFBレーザおよび前記EA変調器と同一基板上にモノリシック集積され、前記EA変調器の出射端に接続されたSOAと、 前記SOAの出射端側に配置され、前記SOAと同一の組成を有する受光器とを備え、 前記受光器には、順バイアス電圧または順バイアス電流が与えられ、前記受光器は、前記DFBレーザおよび前記SOAへの駆動電流がフィードバック制御されるよう、当該受光器への入力光強度に応じた検出値の変化をモニタするように構成されることを特徴とする半導体光集積素子。

IPC (3件)：

H01S 5/026 ,  H01S 5/062 ,  H01S 5/12

FI (5件)：

H01S5/026 612 ,  H01S5/062 ,  H01S5/12 ,  H01S5/026 616 ,  H01S5/026 650

Fターム (12件)：

5F173AB14 ,  5F173AD11 ,  5F173AD12 ,  5F173AD30 ,  5F173AH07 ,  5F173AR04 ,  5F173AR13 ,  5F173SC02 ,  5F173SE01 ,  5F173SF32 ,  5F173SF43 ,  5F173SF63