特許

J-GLOBAL ID：202003007924391284

SiCウェハ及びSiCウェハの製造方法

発明者： 長屋 正武 ,  神田 貴裕 ,  岡本 武志 ,  鳥見 聡 ,  野上 暁 ,  北畠 真
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  東洋炭素株式会社 ,  豊田通商株式会社
代理人 (2件)： 辻田 朋子 ,  村松 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-139498
公開番号（公開出願番号）：特開2020-017626
出願日： 2018年07月25日
公開日（公表日）： 2020年01月30日
要約：

【課題】光学式センサの検知率を向上させることができるSiCウェハ及びSiCウェハの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 SiCウェハ20の少なくとも裏面22を梨地加工する梨地加工工程S14と、前記梨地加工工程S14の後に、Si蒸気圧下で加熱することで前記SiCウェハ20の少なくとも裏面22をエッチングするエッチング工程S17と、前記エッチング工程S17の後に、前記SiCウェハ20の主面21を鏡面加工する鏡面加工工程S18を、含むことを特徴とした。これにより、鏡面加工された主面21と、梨地加工された裏面22と、を備えるSiCウェハを得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

鏡面加工された主面と、 梨地加工された裏面と、を備えることを特徴とする、SiCウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/302

FI (7件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 622P ,  H01L21/304 621B ,  H01L21/304 621A ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/302 201A

Fターム (38件)：

5F004AA11 ,  5F004BA19 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F004EB08 ,  5F004FA06 ,  5F004FA08 ,  5F057AA03 ,  5F057AA06 ,  5F057AA20 ,  5F057AA21 ,  5F057BA12 ,  5F057BB09 ,  5F057CA02 ,  5F057CA09 ,  5F057CA11 ,  5F057CA19 ,  5F057CA22 ,  5F057CA36 ,  5F057DA03 ,  5F057DA05 ,  5F057DA06 ,  5F057DA11 ,  5F057DA15 ,  5F057DA22 ,  5F057DA24 ,  5F057DA28 ,  5F057DA40 ,  5F057EA17 ,  5F057EB22 ,  5F057EB24 ,  5F057GB02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• SiC基板およびSiC基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-374617   出願人：株式会社NEOMAX
• SiC種結晶の加工変質層の除去方法、SiC種結晶及びSiC基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-074742   出願人：東洋炭素株式会社
• 炭化珪素単結晶基板の製造方法、及び炭化珪素単結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-106425   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-150436   出願人：株式会社ブリヂストン