特許

J-GLOBAL ID：202003007982941006

半導体装置の製造方法

発明者： 吉野 達郎 ,  鈴木 正人 ,  根岸 将人 ,  吉川 兼司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018013224
公開番号（公開出願番号）：WO2019-186888
出願日： 2018年03月29日
公開日（公表日）： 2019年10月03日
要約：

光を放射する活性領域が形成された基板の裏面に第1電極と第2電極を設け、該基板よりも脆性が小さい材料で形成された積層物を該第1電極と該第2電極の間の領域の一部に該活性領域の直下に位置するように設けることと、該活性領域の直上に該積層物を位置させた状態で、該積層物とともに該基板を劈開することで該活性領域が表れた平面を露出させることと、を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

活性領域が形成された基板の裏面に第1電極と第2電極を設け、前記基板よりも脆性が小さい積層物を前記第1電極と前記第2電極の間の領域の一部に前記活性領域の直下に位置するように設けることと、 前記活性領域の直上に前記積層物を位置させた状態で、前記積層物とともに前記基板を劈開すること、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/301 ,  H01S 5/10 ,  H01L 33/38 ,  H01L 33/20 ,  B28D 5/00

FI (6件)：

H01L21/78 U ,  H01L21/78 L ,  H01S5/10 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  B28D5/00 A

Fターム (27件)：

3C069AA02 ,  3C069BA01 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069EA04 ,  5F063AA02 ,  5F063AA15 ,  5F063BA07 ,  5F063BA28 ,  5F063BA33 ,  5F063BA43 ,  5F063BA44 ,  5F063CB02 ,  5F063CB10 ,  5F063CB28 ,  5F063CC03 ,  5F063DD34 ,  5F173AP83 ,  5F173AP85 ,  5F173AR92 ,  5F173AR93 ,  5F173AR99 ,  5F241AA41 ,  5F241CA14 ,  5F241CA75 ,  5F241CA76 ,  5F241CB11