基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018034608
公開番号（公開出願番号）：WO2019-059224
出願日： 2018年09月19日
公開日（公表日）： 2019年03月28日
要約：

基板を均一に処理することが可能な技術を提供することにある。本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室の中心と排気部とを通る直線を挟んで配置され、反応ガスをプラズマ化することにより活性化させる第1プラズマ生成部と第2のプラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、原料ガス供給部と第1プラズマ生成部との間の処理室の内壁に沿って基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、原料ガス供給部と第2プラズマ生成部との間の処理室の内壁に沿って基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を有する技術が提供される。

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられて原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記処理室内に設けられて反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記処理室内を排気する排気部と、前記処理室の中心と前記排気部とを通る直線を挟んで配置され、前記反応ガスをプラズマ化することにより活性化させる第1プラズマ生成部と第2プラズマ生成部と、を備えるプラズマ生成部と、前記原料ガス供給部と前記第1プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板のエッジ部から一定の距離の位置に配置される第1仕切部材と、前記原料ガス供給部と前記第2プラズマ生成部との間の前記処理室の内壁に沿って前記基板の外周部から一定の距離の位置に配置される第2仕切部材と、を備えるガス整流部材と、を有する基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/505 , C23C 16/455

FI (3件)：

H01L21/31 C , C23C16/505 , C23C16/455

Fターム (29件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030GA02 , 4K030GA13 , 4K030HA01 , 4K030JA03 , 4K030JA04 , 4K030JA16 , 4K030KA12 , 4K030KA14 , 4K030KA30 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045BB01 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EF15

前のページに戻る