特許

J-GLOBAL ID：202003008153259938

ガス生成方法およびエッチング装置

発明者： 大参 宏昌 ,  安武 潔 ,  酒井 伊都子 ,  林 久貴 ,  福原 成太 ,  大内 淳子 ,  金高 秀海
出願人/特許権者： キオクシア株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
代理人 (6件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-186613
公開番号（公開出願番号）：特開2020-057682
出願日： 2018年10月01日
公開日（公表日）： 2020年04月09日
要約：

【課題】アスペクト比の高いパターンを容易かつ低コストで形成可能とするガス生成方法およびエッチング装置を提供する。【解決手段】本実施形態によるガス生成方法は、エッチングガスを生成する第1チャンバと、エッチングガスを用いてエッチング処理を行う第2チャンバとを備えたエッチング装置におけるガス生成方法である。第1チャンバへ炭素(C)およびフッ素(F)を含む第1ガスを供給し、第1チャンバ内の圧力をエッチング処理時における第2チャンバ内の圧力よりも高くする。第1チャンバ内において、第1ガスに高周波電力を印加して該第1ガスから炭素(C)およびフッ素(F)を含む第2ガスを生成する。第2ガスをエッチングガスとして第2チャンバへ供給する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エッチングガスを生成する第1チャンバと、前記エッチングガスを用いてエッチング処理を行う第2チャンバとを備えたエッチング装置におけるガス生成方法であって、 前記第1チャンバへ炭素(C)およびフッ素(F)を含む第1ガスを供給し、前記第1チャンバ内の圧力をエッチング処理時における前記第2チャンバ内の圧力よりも高くし、 前記第1チャンバ内において、前記第1ガスに高周波電力を印加して該第1ガスから炭素(C)およびフッ素(F)を含む第2ガスを生成し、 前記第2ガスをエッチングガスとして前記第2チャンバへ供給することを具備するガス生成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/302 101G ,  H05H1/46 M

Fターム (28件)：

2G084AA02 ,  2G084BB26 ,  2G084BB31 ,  2G084CC04 ,  2G084CC05 ,  2G084CC12 ,  2G084CC13 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD12 ,  2G084DD15 ,  2G084DD55 ,  2G084DD63 ,  5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB26 ,  5F004BC03 ,  5F004BC08 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ表面処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-215796   出願人：積水化学工業株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045275   出願人：株式会社日立製作所