高周波デバイス用シリカガラス及び高周波デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018040155
公開番号（公開出願番号）：WO2019-093182
出願日： 2018年10月29日
公開日（公表日）： 2019年05月16日
要約：

OH基濃度が300wtppm以下であり、周波数25GHz以上30GHz以下におけるFQ値が90000GHz以上であり、20GHz以上100GHz以下の周波数帯においてFQ値を周波数の1次関数として近似した際の傾きが1000以上である高周波デバイス用シリカガラス。当該シリカガラスを用いて形成される高周波デバイス。

請求項（抜粋）：

OH基濃度が300wtppm以下であり、周波数25GHz以上30GHz以下におけるFQ値が90000GHz以上であり、20GHz以上100GHz以下の周波数帯においてFQ値を周波数の1次関数として近似した際の傾きが1000以上である高周波デバイス用シリカガラス。

IPC (3件)：

C03C 3/06 , C03C 4/16 , H01P 1/207

FI (3件)：

C03C3/06 , C03C4/16 , H01P1/207 Z

Fターム (62件)：

4G062AA01 , 4G062BB02 , 4G062DA08 , 4G062DB01 , 4G062DC01 , 4G062DD01 , 4G062DE01 , 4G062DF01 , 4G062EA01 , 4G062EA10 , 4G062EB01 , 4G062EC01 , 4G062ED01 , 4G062EE01 , 4G062EF01 , 4G062EG01 , 4G062FA01 , 4G062FA10 , 4G062FB01 , 4G062FC01 , 4G062FD01 , 4G062FE01 , 4G062FF01 , 4G062FG01 , 4G062FH01 , 4G062FJ01 , 4G062FK01 , 4G062FL01 , 4G062GA01 , 4G062GA10 , 4G062GB01 , 4G062GC01 , 4G062GD01 , 4G062GE01 , 4G062HH01 , 4G062HH03 , 4G062HH05 , 4G062HH07 , 4G062HH09 , 4G062HH11 , 4G062HH13 , 4G062HH15 , 4G062HH17 , 4G062HH20 , 4G062JJ01 , 4G062JJ03 , 4G062JJ05 , 4G062JJ07 , 4G062JJ10 , 4G062KK01 , 4G062KK03 , 4G062KK05 , 4G062KK07 , 4G062KK10 , 4G062MM31 , 4G062NN26 , 5J006JB01 , 5J006JB02 , 5J006JB04 , 5J006LA02 , 5J006NA09 , 5J014DA00

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