特許

J-GLOBAL ID：202003008496021872

半導体光素子、半導体光集積素子、および半導体光素子の製造方法

発明者： 山口 勉 ,  佐久間 仁 ,  尾上 和之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾 ,  吉澤 憲治
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018014095
公開番号（公開出願番号）：WO2019-193622
出願日： 2018年04月02日
公開日（公表日）： 2019年10月10日
要約：

第一のクラッド層と、リッジ形状に形成されたリッジ部(20)を有する第二のクラッド層と、第一のクラッド層と第二のクラッド層との間に位置し、光を伝搬する光閉じ込め層(2、20)とを有する半導体光素子において、リッジ部(20)は、光閉じ込め層(2、20)に近い側から順に、リッジ下部(5)、リッジ中間部(6)、リッジ上部(8)を有し、リッジ中間部(6)は、光閉じ込め層(2、20)における光伝搬方向である光軸に垂直な断面における幅が、リッジ下部(5)およびリッジ上部(8)よりも広い幅とした。

請求項（抜粋）：

第一のクラッド層と、リッジ形状に形成されたリッジ部を有する第二のクラッド層と、前記第一のクラッド層と前記第二のクラッド層との間に位置し、光を伝搬する光閉じ込め層とを有する半導体光素子において、 前記リッジ部は、前記光閉じ込め層に近い側から順に、リッジ下部、リッジ中間部、リッジ上部を有し、前記リッジ中間部は、前記光閉じ込め層における光伝搬方向である光軸に垂直な断面における幅が、前記リッジ下部および前記リッジ上部よりも広い幅であることを特徴とする半導体光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/12 ,  G02F 1/025

FI (3件)：

H01S5/22 ,  H01S5/12 ,  G02F1/025

Fターム (27件)：

2K102AA20 ,  2K102BA02 ,  2K102BA11 ,  2K102BB01 ,  2K102BC04 ,  2K102BD01 ,  2K102DA05 ,  2K102DD03 ,  2K102EA02 ,  2K102EB20 ,  2K102EB28 ,  5F173AA08 ,  5F173AB13 ,  5F173AD12 ,  5F173AD16 ,  5F173AD30 ,  5F173AF32 ,  5F173AH14 ,  5F173AL12 ,  5F173AL15 ,  5F173AL21 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP37 ,  5F173AP42 ,  5F173AR96 ,  5F173AS01