特許
J-GLOBAL ID：202003008628531255
記憶制御システム及び消費電力制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サンネクスト国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-113170
公開番号（公開出願番号）：特開2019-215759
特許番号：特許第6735791号
出願日： 2018年06月13日
公開日（公表日）： 2019年12月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の冗長構成グループの基になる複数の記憶デバイスが分類された複数の電力制御グループの各々について当該電力制御グループのI/O(Input/Output)量を取得するI/O量取得部と、
前記複数の電力制御グループの各々について、当該電力制御グループに関し取得されたI/O量を基に、当該電力制御グループに属する各記憶デバイスの消費電力を、電力制御グループ単位で制御する電力制御部と
を備え、
前記複数の冗長構成グループのいずれも、冗長化されたデータを格納する記憶デバイスグループであり、
前記複数の冗長構成グループのいずれも、前記複数の電力制御グループのうちの二つ以上の電力制御グループに跨らず、前記複数の電力制御グループのいずれかに含まれていて、
前記複数の記憶デバイスの少なくとも一部は、I/O性能と消費電力との関係が異なる二つ以上の記憶デバイスであり、
前記電力制御部は、前記複数の電力制御グループの各々について、
当該電力制御グループに関し取得されたI/O量を基に、当該電力制御グループについて関連付ける省電力レベルを複数段階の省電力レベルから選択し、
当該電力制御グループに含まれる各記憶デバイスについて、マッピング情報を基に、当該記憶デバイスに対応した複数の指定値のうち、前記選択された省電力レベルに対応した指定値を決定し、当該指定値を当該記憶デバイスに指定し、
前記複数段階の省電力レベルの各々は、電力制御グループ単位での省電力のレベルであり、
前記マッピング情報は、前記複数段階の省電力レベルの各々に、前記二つ以上の記憶デバイスの各々について、当該記憶デバイスに対応した複数の指定値のうち該当の指定値が関連付けられた情報であり、
前記複数段階の省電力レベルの各々について、前記二つ以上の記憶デバイスの各々についての前記該当の指定値は、当該省電力レベルに対応したI/O性能を当該記憶デバイスが発揮するために当該記憶デバイスに指定される値である、
記憶制御システム。
IPC (1件)：
FI (5件)：
G06F 3/06
, G06F 3/06 540
, G06F 3/06 305 C
, G06F 3/06 301 Z
, G06F 3/06 304 N
