特許

J-GLOBAL ID：202003008750559349

コンタクトパッドの製造方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置

発明者： 八田 浩一 ,  早川 崇 ,  岩下 光秋 ,  田中 崇
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018007230
公開番号（公開出願番号）：WO2018-163913
出願日： 2018年02月27日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
要約：

絶縁層上に配線層が形成されたペア層が階段形状をなして積層され、前記階段形状のステップ部分をなす露出した前記配線層の上面に触媒液を供給して選択的に触媒処理を施す工程と、 該触媒処理が施された前記配線層の上面に無電解めっきを行い、金属層を選択成長させる工程と、を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁層上に配線層が形成されたペア層が階段形状をなして積層され、前記階段形状のステップ部分をなす露出した前記配線層の上面に触媒液を供給して選択的に触媒処理を施す工程と、 該触媒処理が施された前記配線層の上面に無電解めっきを行い、金属層を選択成長させる工程と、を有するコンタクトパッドの製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 23/522

FI (8件)：

H01L27/11575 ,  H01L27/11548 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L21/88 P ,  H01L21/90 B ,  H01L21/88 B

Fターム (38件)：

5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK04 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033NN08 ,  5F033NN12 ,  5F033PP06 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F083EP76 ,  5F083ER21 ,  5F083GA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR05 ,  5F101BA00 ,  5F101BB02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34