特許
J-GLOBAL ID：202003008820882517
半導体装置の作製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-208607
公開番号（公開出願番号）：特開2019-057719
特許番号：特許第6720273号
出願日： 2018年11月06日
公開日（公表日）： 2019年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート絶縁層上に第1の酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成し、
前記第1の酸化物半導体膜上に第2の酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成し、
前記第1の酸化物半導体膜および前記第2の酸化物半導体膜をエッチングし、第1の酸化物半導体領域および第2の酸化物半導体領域を形成し、
前記第1の酸化物半導体領域は、前記ゲート絶縁層に接する領域と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の側面に接する領域と、を有し、
前記第2の酸化物半導体膜を形成する際の成膜ガス全体に対する酸素ガス流量の比率は、前記第1の酸化物半導体膜を形成する際の成膜ガス全体に対する酸素ガス流量の比率よりも大きい半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/363 ( 200 6.01)
, C23C 14/08 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 21/28 301 B
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/363
, C23C 14/08 N
, C23C 14/08 K
