特許

J-GLOBAL ID：202003009247479148

リミッタ回路

発明者： 鳥居 拓真 ,  半谷 政毅 ,  山中 宏治 ,  西田 和広
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人山王内外特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018017433
公開番号（公開出願番号）：WO2019-211898
出願日： 2018年05月01日
公開日（公表日）： 2019年11月07日
要約：

入力端子(1)に容量素子(3)を介して第一のインダクタ(4)を接続する。第一のインダクタ(4)には、第一のダイオード(5)及び第二のダイオード(6)からなるアンチパラレルダイオードペアを接続すると共に、第二のインダクタ(7)を接続する。第一のインダクタ(4)とアンチパラレルダイオードペアは電磁界結合して結合容量を形成する。

請求項（抜粋）：

高周波信号が与えられる入力端子に一端を接続した容量素子と、 前記容量素子の他端に、一端を接続した第一のインダクタと、 前記第一のインダクタの他端にアノードを接続し、カソードを接地した第一のダイオードと、 前記第一のインダクタの他端にカソードを接続し、アノードを接地した第二のダイオードと、 前記第一のインダクタの他端に一端を接続し、他端を接地した第二のインダクタとを備え、 前記第一のインダクタと、前記第一のダイオード及び前記第二のダイオードのうち少なくともいずれか一方とが電磁界結合の関係にあるか、前記第二のインダクタと、前記第一のダイオード及び前記第二のダイオードのうち少なくともいずれか一方とが電磁界結合の関係にあるか、または、前記第一のインダクタと、前記第一のダイオード及び前記第二のダイオードの一方とが電磁界結合の関係にあり、かつ、前記第二のインダクタと、前記第一のダイオード及び前記第二のダイオードのうちの他方とが電磁界結合の関係にあることを特徴とするリミッタ回路。

IPC (1件)：

H03G 11/02

FI (1件)：

H03G11/02

Fターム (4件)：

5J030CB04 ,  5J030CC05 ,  5J030CC06 ,  5J030CC07