特許

J-GLOBAL ID：202003009292560029

成膜装置

発明者： 吹上 紀明 ,  辛川 孝行 ,  鎌田 豊弘 ,  栗林 昭博
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 特許業務法人弥生特許事務所 ,  井上 俊夫 ,  三井田 友昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-221698
公開番号（公開出願番号）：特開2018-081964
特許番号：特許第6680190号
出願日： 2016年11月14日
公開日（公表日）： 2018年05月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 真空容器内にて回転テーブルに配置された基板を当該回転テーブルにより公転させ、互に回転テーブルの周方向に離れた領域の各々にシリコンを含む原料ガス及び窒素含有ガスを供給して基板にシリコン窒化膜を成膜する成膜装置において、 前記回転テーブルに対向し、原料ガスを吐出する吐出部及び当該吐出部を囲む排気口を備えた原料ガス供給部と、 前記原料ガス供給部に対して回転テーブルの回転方向に各々離れて設けられると共に、互いに回転テーブルの回転方向に離れて設けられた反応領域及び改質領域と、 前記反応領域の上流側及び下流側の一方側の端部に設けられ、当該上流側及び下流側の他方側に向けて窒素含有ガスを含む反応ガスを吐出する反応ガス吐出部と、 前記改質領域の上流側及び下流側の一方側の端部に設けられ、当該上流側及び下流側の他方側に向けて水素ガスを含む改質ガスを吐出する改質ガス吐出部と、 前記回転テーブルの外側であって、前記反応領域の上流側及び下流側の他方側の端部に臨む位置に設けられた反応ガス用の排気口と、 前記回転テーブルの外側であって、前記改質領域の上流側及び下流側の他方側の端部に臨む位置に設けられた改質ガス用の排気口と、 前記反応領域及び改質領域に夫々供給されたガスを活性化するための反応ガス用のプラズマ発生部及び改質ガス用のプラズマ発生部と、 前記反応ガス吐出部及び改質ガス吐出部の各々は、その長さ方向に沿って吐出口が形成され、回転テーブル上の基板の通過領域と交差するように配置されたガスインジェクターにより構成されたことを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/318 B