特許
J-GLOBAL ID：202003009618263984
単量体、高分子化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人英明国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-080899
公開番号（公開出願番号）：特開2017-190402
特許番号：特許第6651965号
出願日： 2016年04月14日
公開日（公表日）： 2017年10月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(1)で表される単量体。
(式中、Zは、下記式(2)又は(3)で表される重合性基を表す。L1は、カルボニル結合、スルホニル結合又はスルフィニル結合を表す。L2は、単結合、エーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、アミド結合、スルフィド結合、スルフィニル結合、スルホニル結合、スルホン酸エステル結合、スルフィンアミド結合、スルホンアミド結合、カルバメート結合又はカーボネート結合を表す。L3は、単結合、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜40の直鎖状、分岐状若しくは環状の2価炭化水素基を表す。A1は、水素原子、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状の1価炭化水素基を表す。Xa及びXbは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。ただし、Xa及びXbのうち少なくとも1つは、水素原子以外の置換基である。mは、1〜4の整数を表す。M+は、R3S+で表されるスルホニウムカチオン又はR2I+で表されるヨードニウムカチオンを表し、Rは、水素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜30の1価炭化水素基を表す。)
(式中、R1は、水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。R2は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を表す。R2が複数存在する場合、これらは同一でも異なってもよく、また、複数のR2が、互いに結合してこれらが結合するベンゼン環上の炭素原子と共に環を形成してもよい。nは、0〜4の整数を表す。破線は、式(1)中のL3との結合手を表す。)
IPC (8件)：
C08F 220/38 ( 200 6.01)
, C08F 212/14 ( 200 6.01)
, C07C 311/48 ( 200 6.01)
, C07C 307/02 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
C08F 220/38
, C08F 212/14
, C07C 311/48 CSP
, C07C 307/02
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
