特許

J-GLOBAL ID：202003010082898300

有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 横井 優季
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (2件)： 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-126563
公開番号（公開出願番号）：特開2020-009796
出願日： 2018年07月03日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
要約：

【課題】キャリア移動度の高い有機半導体層上に保護層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】有機薄膜トランジスタは、基板、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層および保護層を有する。有機半導体層を挟んで基板とは反対側に保護層を有する。保護層は、酸発生剤、塩基発生剤およびラジカル重合開始剤からなる群より選ばれる少なくとも一つと、熱硬化性高分子化合物と、を含む組成物を硬化させた層である。該組成物に含まれる酸発生剤、塩基発生剤およびラジカル重合開始剤の合計量は、熱硬化性高分子化合物の質量に対し0.03質量%以上、2.0質量%以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層および保護層を有する有機薄膜トランジスタであって、 有機半導体層を挟んで基板とは反対側に保護層を有し、保護層が酸発生剤、塩基発生剤およびラジカル重合開始剤からなる群より選ばれる少なくとも一つと熱硬化性高分子化合物とを含む組成物を硬化させた層であって、該組成物に含まれる酸発生剤、塩基発生剤およびラジカル重合開始剤の合計量が熱硬化性高分子化合物の質量に対し0.03質量%以上、2.0質量%以下である有機薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  C08L 101/00 ,  H01L 21/312

FI (7件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 390 ,  C08L101/00 ,  H01L21/312 A

Fターム (64件)：

4J002AA001 ,  4J002AA021 ,  4J002BC041 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG061 ,  4J002BG071 ,  4J002BG081 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ05 ,  5F058AA10 ,  5F058AB10 ,  5F058AC01 ,  5F058AC02 ,  5F058AC04 ,  5F058AC06 ,  5F058AC07 ,  5F058AC10 ,  5F058AD01 ,  5F058AD03 ,  5F058AD04 ,  5F058AD07 ,  5F058AD08 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN36