特許

J-GLOBAL ID：202003010188580636

成膜方法および成膜装置

発明者： 生田 浩之 ,  上田 博一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-178476
公開番号（公開出願番号）：特開2020-053455
出願日： 2018年09月25日
公開日（公表日）： 2020年04月02日
要約：

【課題】成膜される膜に不均一が発生することを抑制すること。【解決手段】成膜方法は、基板に成膜する成膜方法であって、第1の工程と、第2の工程を有する。第1の工程は、基板が配置され、プラズマが生成された処理容器に対して成膜原料を含んだ成膜原料ガスの供給を開始する際に、成膜原料ガスを第1の流量設定値で流して、成膜原料ガスの流量を上昇させる。第2の工程は、第1の工程の後、第1の流量設定値よりも低い第2の流量設定値で成膜原料ガスを流して、成膜原料ガスの流量を安定させる。【選択図】図2C

請求項（抜粋）：

基板に成膜する成膜方法であって、 前記基板が配置され、プラズマが生成された処理容器に対して成膜原料を含んだ成膜原料ガスの供給を開始する際に、前記成膜原料ガスを第1の流量設定値で流して、前記成膜原料ガスの流量を上昇させる第1の工程と、 前記第1の工程の後、前記第1の流量設定値よりも低い第2の流量設定値で前記成膜原料ガスを流して、前記成膜原料ガスの流量を安定させる第2の工程と、 を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L21/318 B ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C

Fターム (45件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA18 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB04 ,  5F045DP03 ,  5F045EC08 ,  5F045EE17 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EK09 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB02 ,  5F058BB07 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01