固体撮像装置、および電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西川孝 , 稲本義雄 , 三浦勇介
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018039814
公開番号（公開出願番号）：WO2019-093151
出願日： 2018年10月26日
公開日（公表日）： 2019年05月16日
要約：

本技術は、Dark特性の悪化を抑止することができる固体撮像装置、および電子機器に関する。光電変換を行う光電変換部と、半導体基板を深さ方向に貫き、隣接する画素にそれぞれ形成されている光電変換部の間に形成されたトレンチと、トレンチの側壁に、P型領域とN型領域から構成されるPN接合領域とを備え、P型領域は、N型領域の下側に張り出す領域を有する。同一の画素内で受光面側から深さ方向に積層されたpn接合を有する無機光電変換部と有機光電変換膜を有する有機光電変換部と、無機光電変換部の側壁に、P型領域とN型領域から構成されるPN接合領域とを備える。光電変換を行う光電変換部と、半導体基板を貫通せずに掘り込まれているトレンチと、トレンチの側壁に、第1のP型領域とN型領域から構成されるPN接合領域と、光電変換部の受光面側に、第2のP型領域とを備える。本技術は、例えば、裏面照射型CMOSイメージセンサに適用できる。

請求項（抜粋）：

光電変換を行う光電変換部と、半導体基板を深さ方向に貫き、隣接する画素にそれぞれ形成されている前記光電変換部の間に形成されたトレンチと、前記トレンチの側壁に、P型領域とN型領域から構成されるPN接合領域とを備え、前記P型領域は、前記N型領域の下側に張り出す領域を有する固体撮像装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 , H01L 21/76 , H01L 31/10 , H04N 5/361 , H04N 5/369

FI (6件)：

H01L27/146 A , H01L21/76 L , H01L31/10 A , H01L31/10 D , H04N5/361 , H04N5/369

Fターム (71件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118BA19 , 4M118CA04 , 4M118CA14 , 4M118CA18 , 4M118CA24 , 4M118CA27 , 4M118CB13 , 4M118CB14 , 4M118CB20 , 4M118DD04 , 4M118EA16 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 4M118GA02 , 4M118GB03 , 4M118GB04 , 4M118GB07 , 4M118GB11 , 4M118GC07 , 4M118GC14 , 4M118GD04 , 4M118GD15 , 4M118HA22 , 5C024CX32 , 5C024GX03 , 5C024GX07 , 5C024GX20 , 5C024GX24 , 5F032AA34 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA47 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F849AA02 , 5F849AB03 , 5F849AB11 , 5F849BA05 , 5F849BB03 , 5F849CB05 , 5F849CB06 , 5F849CB07 , 5F849CB09 , 5F849CB10 , 5F849CB14 , 5F849CB15 , 5F849DA01 , 5F849DA21 , 5F849DA30 , 5F849DA41 , 5F849EA04 , 5F849EA07 , 5F849EA13 , 5F849FA02 , 5F849FA03 , 5F849FA04 , 5F849FA05 , 5F849HA10 , 5F849HA20 , 5F849KA20 , 5F849LA02 , 5F849LA09 , 5F849XB24 , 5F849XB36

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