半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-195175
公開番号（公開出願番号）：特開2020-064936
出願日： 2018年10月16日
公開日（公表日）： 2020年04月23日
要約：

【課題】リフロー工程においてサイズの大きなボイドの発生を抑制する。【解決手段】半導体素子の製造方法は、第1部品と第2部品との間をはんだ接合するリフロー工程を備える。そのリフロー工程は、大気圧よりも低圧の雰囲気下において、第1部品と第2部品との間ではんだを所定時間に亘って溶融させる減圧段階と、減圧段階に続けて実施されるとともに、はんだの溶融状態を維持しながら雰囲気を大気圧へ復圧する復圧段階とを有する。減圧段階における前記した所定時間は、15秒以上であって25秒以下である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、第1部品と第2部品との間をはんだ接合するリフロー工程を備え、前記リフロー工程は、大気圧よりも低圧の雰囲気下において、第1部品と第2部品との間ではんだを所定時間に亘って溶融させる減圧段階と、前記減圧段階に続けて、前記はんだの溶融状態を維持しながら前記雰囲気を大気圧へ復圧する復圧段階と、を有し、前記所定時間は15秒以上であって25秒以下である、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H05K 3/34 , B23K 1/00 , B23K 1/008 , H01L 21/52

FI (4件)：

H05K3/34 507C , B23K1/00 330E , B23K1/008 B , H01L21/52 J

Fターム (10件)：

5E319AA03 , 5E319AC04 , 5E319BB02 , 5E319CC33 , 5E319GG20 , 5F047AA03 , 5F047BA06 , 5F047FA58 , 5F047JA01 , 5F047JA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

接合構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-011745 出願人：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社
ボイド除去装置、ボイド除去方法および電子機器の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-251822 出願人：富士通株式会社
はんだ接合構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-033659 出願人：株式会社タムラ製作所

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