特許
J-GLOBAL ID：202003010501440522
インバータ制御基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人R&C
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018042082
公開番号（公開出願番号）：WO2019-098217
出願日： 2018年11月14日
公開日（公表日）： 2019年05月23日
要約：
直流と交流との間で電力を変換するインバータの直流側の電圧を検出する検出回路を適切にインバータ制御基板に配置する。インバータ制御基板(9)の基板上には、低電圧領域(A1)と、複数の上段側高電圧領域(A31)と、複数の下段側高電圧領域(A32)と、絶縁領域(A5)とが形成されている。低電圧領域(A1)の回路とそれぞれの上段側高電圧領域(A31)の回路とは、上段側接続回路(51)によって接続され、低電圧領域(A1)の回路とそれぞれの下段側高電圧領域(A32)の回路とは、下段側接続回路(52)によって接続されている。インバータ(10)の直流側の電圧を検出する電圧検出回路(6)は、互いに隣り合う上段側接続回路(51)と下段側接続回路(52)との間に配置されている。
請求項（抜粋）：
直流と複数相の交流との間で電力を変換するインバータに接続されて、前記インバータを駆動制御する駆動制御回路が形成されたインバータ制御基板であって、
前記インバータは、交流1相分のアームが、直流の正極に接続される上段側スイッチング素子と、直流の負極に接続される下段側スイッチング素子との直列回路により構成され、
基板上には、回路が配置される領域として、低電圧領域と、前記低電圧領域に比べて動作電圧が高い回路が配置される高電圧領域であって各相の前記上段側スイッチング素子に接続される複数の上段側高電圧領域と、前記高電圧領域であって各相の前記下段側スイッチング素子に接続される複数の下段側高電圧領域と、が形成され、
さらに、前記低電圧領域と、それぞれの前記上段側高電圧領域と、それぞれの前記下段側高電圧領域と、を電気的に絶縁する絶縁領域が形成され、
前記低電圧領域の回路とそれぞれの前記上段側高電圧領域の回路とは、前記絶縁領域を挟んで配置される接続回路であって、電気的に絶縁された状態で信号を伝達する上段側接続回路によって接続され、
前記低電圧領域の回路とそれぞれの前記下段側高電圧領域の回路とは、前記接続回路であって、電気的に絶縁された状態で信号を伝達する下段側接続回路によって接続され、
前記インバータの直流側の電圧を検出する電圧検出回路が、互いに隣り合う前記上段側接続回路と前記下段側接続回路との間に配置されている、インバータ制御基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5H740BA11
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH05
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK04
, 5H770BA02
, 5H770DA03
, 5H770DA41
, 5H770GA07
, 5H770HA02Y
, 5H770HA03W
, 5H770HA07Z
, 5H770JA08Z
, 5H770JA16Z
, 5H770QA01
