特許
J-GLOBAL ID：202003010910510028
III族窒化物結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
松谷 道子
, 岡部 博史
, 稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-026845
公開番号（公開出願番号）：特開2020-132464
出願日： 2019年02月18日
公開日（公表日）： 2020年08月31日
要約：
【課題】高品質なIII族窒化物結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、基板上に複数のドット状のIII族窒化物を、III族窒化物結晶の成長のための複数の種結晶として準備する種結晶準備工程と、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に前記種結晶の表面を接触させることによって、III族元素と窒素とを融液中で反応させてIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程と、を含み、結晶成長工程は、複数の種結晶から結晶核を形成する核発生工程と、複数の結晶核から角錐形状の第一のIII族窒化物結晶を成長させる角錐成長工程と、複数の角錐形状の第一のIII族窒化物結晶の間隙を埋め込んで表面が平坦になるように第二のIII族窒化物結晶を成長させる横方向成長工程とを含む。【選択図】図19
請求項（抜粋）：
基板上に複数のドット状のIII族窒化物を、III族窒化物結晶の成長のための複数の種結晶として準備する種結晶準備工程と、
窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に前記種結晶の表面を接触させることによって、前記III族元素と前記窒素とを前記融液中で反応させて前記III族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程と、
を含み、
前記結晶成長工程は、
前記複数の種結晶から結晶核を形成する核発生工程と、
前記複数の結晶核から複数の角錐形状の第一のIII族窒化物結晶を成長させる角錐成長工程と、
前記複数の角錐形状の第一のIII族窒化物結晶の間隙を埋め込んで表面が平坦になるように第二のIII族窒化物結晶を成長させる横方向成長工程と、
を含む、III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/38 D
, H01L21/208 D
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077ED06
, 4G077EE05
, 4G077EE10
, 4G077LA01
, 4G077LA05
, 5F053AA03
, 5F053BB04
, 5F053DD20
, 5F053FF02
, 5F053GG01
, 5F053GG05
, 5F053GG06
, 5F053HH05
, 5F053HH07
, 5F053HH10
, 5F053KK01
, 5F053KK02
, 5F053KK03
, 5F053KK07
, 5F053KK08
, 5F053LL10
, 5F053PP12
, 5F053RR03
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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