特許

J-GLOBAL ID：202003011104861771

光モジュール、光通信機器および製造方法

発明者： 海沼 則夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-209182
公開番号（公開出願番号）：特開2020-077715
出願日： 2018年11月06日
公開日（公表日）： 2020年05月21日
要約：

【課題】半導体チップに対する光デバイスの実装精度の向上を図ること。【解決手段】シリコンフォトニクスチップ110に対してはんだ層120aを介して光デバイス130aが接合されている。はんだ層120aは、第1金錫層121aと、バリア層122aと、第2金錫層123aと、を含む。第1金錫層121aは、シリコンフォトニクスチップ110上に形成され金および錫を主成分とする。バリア層122aは、第1金錫層121a上に形成され錫への拡散速度が金より遅く導電性を有する。第2金錫層123aは、バリア層122a上に形成され金および錫を主成分とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップと、 前記半導体チップ上に形成され金および錫を主成分とする第1金錫層と、 前記第1金錫層上に形成され錫への拡散速度が金より遅く導電性を有するバリア層と、 前記バリア層上に形成され金および錫を主成分とする第2金錫層と、 前記第2金錫層上に設けられた光デバイスと、 を備えることを特徴とする光モジュール。

IPC (3件)：

H01S 5/022 ,  G02B 6/12 ,  H01L 21/52

FI (3件)：

H01S5/022 ,  G02B6/12 301 ,  H01L21/52 B

Fターム (30件)：

2H147AA01 ,  2H147AB02 ,  2H147AB03 ,  2H147AB04 ,  2H147AB05 ,  2H147AC02 ,  2H147BG14 ,  2H147CB03 ,  2H147CC14 ,  2H147CD02 ,  2H147DA10 ,  2H147EA13C ,  5F047AA00 ,  5F047BA06 ,  5F047BA19 ,  5F047BA53 ,  5F047BC02 ,  5F047CA08 ,  5F173MA02 ,  5F173MB03 ,  5F173MC03 ,  5F173MD03 ,  5F173MD37 ,  5F173MD59 ,  5F173MD64 ,  5F173MD73 ,  5F173MD85 ,  5F173ME44 ,  5F173ME74 ,  5F173ME83