特許
J-GLOBAL ID：202003011428157996

SiC基板の評価方法、SiCエピタキシャルウェハの製造方法及びSiCエピタキシャルウェハ

発明者：
野口 駿介

野口 駿介 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (3件)： 及川 周 ,  荒 則彦 ,  勝俣 智夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-168954
公開番号（公開出願番号）：特開2020-040853
出願日： 2018年09月10日
公開日（公表日）： 2020年03月19日
要約：
【課題】SiCデバイスの欠陥の原因となりうる箇所を特定できるSiC基板の評価方法を提供することを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかるSiC基板の評価方法は、SiCインゴットから切り出したSiC基板の第1面に、エピタキシャル膜を積層する前にSiCのバンドギャップより大きなエネルギーを有する励起光をSiC基板に照射し、SiC基板から発光されるフォトルミネッセンスの強度を測定する。SiC基板の第1面を評価した後に、第1面にエピタキシャル膜を積層しSiCエピタキシャルウェハを製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiCインゴットから切り出したSiC基板の第1面に、エピタキシャル膜を積層する前に励起光を照射して、フォトルミネッセンス測定する、SiC基板の評価方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/06 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/20
FI (5件)：
C30B29/36 A ,  C30B23/06 ,  C30B25/20 ,  H01L21/66 N ,  H01L21/20
Fターム (32件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DA19 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077GA01 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4M106AA01 ,  4M106CA18 ,  4M106CB01 ,  4M106DB01 ,  4M106DB08 ,  4M106DH11 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ27 ,  4M106DJ32 ,  5F152LL03 ,  5F152LM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN05 ,  5F152NQ02
引用特許：
審査官引用 (11件)
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