特許
J-GLOBAL ID：202003011517779968
抵抗変化型不揮発性記憶素子及びそれを用いた抵抗変化型不揮発性記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-241986
公開番号（公開出願番号）：特開2020-107625
出願日： 2018年12月26日
公開日（公表日）： 2020年07月09日
要約：
【課題】長期にわたって安定に情報を記憶する抵抗変化型不揮発性記憶素子を提供する。【解決手段】抵抗変化型不揮発性記憶素子20は、第1電極2と、第2電極4と、第1電極2と第2電極4との間に介在して両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層3とを備える。抵抗変化層3は、第1金属元素と酸素とからなる酸素不足型の第1金属酸化物で構成された第1抵抗変化層3cと、第1金属元素と第1金属元素とは異なる第2金属元素と酸素とからなり、第1金属酸化物とは酸素不足度の異なる酸素不足型の複合酸化物で構成された第2抵抗変化層3dとを有する。複合酸化物の酸素不足度は、第1金属酸化物の酸素不足度よりも小さく、複合酸化物の室温における酸素拡散係数は、第1金属元素と酸素とからなり酸素不足度が複合酸化物の酸素不足度と等しい第2金属酸化物の室温における酸素拡散係数よりも小さい。【選択図】図1B
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在して両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備えた抵抗変化型不揮発性記憶素子であって、
前記抵抗変化層は、第1金属元素と酸素とからなる酸素不足型の第1金属酸化物で構成された第1抵抗変化層と、前記第1金属元素と前記第1金属元素とは異なる第2金属元素と酸素とからなり、前記第1金属酸化物とは酸素不足度の異なる酸素不足型の複合酸化物で構成された第2抵抗変化層とを有し、
前記複合酸化物の酸素不足度は、前記第1金属酸化物の酸素不足度よりも小さく、
前記複合酸化物の室温における酸素拡散係数は、前記第1金属元素と酸素とからなり酸素不足度が前記複合酸化物の酸素不足度と等しい第2金属酸化物の室温における酸素拡散係数よりも小さい、
抵抗変化型不揮発性記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 21/823
, H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/105 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR22
, 5F083ZA01
