特許

J-GLOBAL ID：202003011604742469

半導体装置

発明者： 向井 文哉
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-190662
公開番号（公開出願番号）：特開2020-061428
出願日： 2018年10月09日
公開日（公表日）： 2020年04月16日
要約：

【課題】本明細書は、電極面積が異なる第1素子と第2素子が基板平面内で並んで形成されている半導体装置に関し、基板平面内の温度ばらつきを抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体装置2は、第1素子13と第2素子14が基板平面内で並んで形成されている基板10と、基板10の一方の主面に対向している金属板20を備えている。基板の一方の主面上に、第1素子の電極(第1電極13a)と、第2素子の電極(第2電極14a)が露出している。第2電極14aの面積は第1電極13aの面積よりも小さい。金属板20は、接合層5を介して第1電極13aと第2電極14aに接合されている。金属板20には、その熱伝導率が接合層5の熱伝導率よりも高い材料が用いられている。金属板20の主面と対向する面に凹凸が設けられており、凸部21が第2電極14aに対向しており、凹部22が第1電極13aに対向している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1素子と第2素子が基板平面内で並んで形成されている基板であって、前記基板の一方の主面上に前記第1素子の電極(第1電極)と前記第2素子の電極(第2電極)が露出している基板と、 接合層を介して前記第1電極と前記第2電極に接合されている金属板と、 を備えており、 前記第2電極の面積が前記第1電極の面接よりも小さく、 前記金属板の熱伝導率が前記接合層の熱伝導率よりも高く、 前記金属板の前記主面と対向する面に凹凸が設けられており、凸部が前記第2電極に対向しており、凹部が前記第1電極に対向している、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/29

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/36 A

Fターム (8件)：

5F136BB13 ,  5F136BB18 ,  5F136DA27 ,  5F136EA12 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA82 ,  5F136HA01