特許

J-GLOBAL ID：202003011775409741

プラズマ異常判定方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 竹田 剛 ,  西野 達弥
出願人/特許権者： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・ウィン
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018027282
公開番号（公開出願番号）：WO2019-035314
出願日： 2018年07月20日
公開日（公表日）： 2019年02月21日
要約：

プラズマの異常を判定することが可能な技術を提供する。 処理室内に配置された撮像装置を用いて、前記処理室内にプラズマ化されたガスを供給するガス供給口を撮像し、撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの発光強度を検出し、検出された発光強度に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する技術を提供する。

請求項（抜粋）：

処理室内に配置された撮像装置を用いて、前記処理室内にプラズマ化されたガスを供給するガス供給口を撮像し、 撮像された前記ガス供給口の画像に基づいて、プラズマの発光強度を検出し、 検出された発光強度に基づいて、プラズマの異常放電の発生の有無とちらつきの発生の有無の少なくとも一方を判定する プラズマ異常判定方法。

IPC (5件)：

H05H 1/00 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52

FI (5件)：

H05H1/00 A ,  H05H1/46 M ,  H01L21/31 C ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

Fターム (78件)：

2G084AA02 ,  2G084AA05 ,  2G084AA07 ,  2G084BB02 ,  2G084BB26 ,  2G084BB30 ,  2G084CC12 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD12 ,  2G084DD55 ,  2G084FF15 ,  2G084FF21 ,  2G084HH02 ,  2G084HH05 ,  2G084HH19 ,  2G084HH22 ,  2G084HH23 ,  2G084HH24 ,  2G084HH25 ,  2G084HH27 ,  2G084HH28 ,  2G084HH29 ,  2G084HH33 ,  2G084HH34 ,  2G084HH35 ,  2G084HH37 ,  2G084HH42 ,  2G084HH43 ,  2G084HH45 ,  2G084HH52 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030HA16 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA13 ,  4K030JA16 ,  4K030KA12 ,  4K030KA36 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045DP19 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH12 ,  5F045GB08