特許
J-GLOBAL ID：202003011981347973
サーミスタ材料及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畠山 文夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-188546
公開番号（公開出願番号）：特開2020-057719
出願日： 2018年10月03日
公開日（公表日）： 2020年04月09日
要約：
【課題】従来に比べて構成成分の種類が少なく、かつ、低温域において高精度の温度検出が可能なサーミスタ材料及びその製造方法を提供すること。【解決手段】サーミスタ材料は、Si3N4からなるマトリックス結晶粒と、少なくとも前記マトリックス結晶粒間に存在する粒界相と、前記マトリックス結晶粒間及び/又は前記粒界相内に分散しているSiC結晶粒、Si結晶粒、及びBN結晶粒とを備えている。サーミスタ材料は、これらの粒子に加えて、TiN結晶粒及び/又はTiB2結晶粒をさらに備えていても良い。このようなサーミスタ材料は、適度な比抵抗値と、相対的に大きな温度抵抗変化率(B値)とを併せ持つ。このようなサーミスタ材料は、所定量のSi3N4粉末、SiC粉末、B粉末又はTiB2粉末、及び焼結助剤を含む混合物を成形し、焼結することにより得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
以下の構成を備えたサーミスタ材料。
(1)前記サーミスタ材料は、
Si3N4からなるマトリックス結晶粒と、
少なくとも前記マトリックス結晶粒間に存在する粒界相と、
前記マトリックス結晶粒間及び/又は前記粒界相内に分散しているSiC結晶粒、Si結晶粒、及びBN結晶粒と
を備えている。
(2)前記サーミスタ材料は、
Si/BN比(最強線ピーク強度比)が0.1以上2.5以下であり、
Si/SiC比(最強線ピーク強度比)が0.1以上2.0以下であり、かつ、
Si/Si3N4比(最強線ピーク強度比)が0.1以上6.0以下である。
(3)前記サーミスタ材料は、
0°Cでの比抵抗値が0.5kΩcm以上200kΩcm以下であり、かつ、
温度抵抗変化率(B値)が0.009以上0.025以下である。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
前のページに戻る
