特許

J-GLOBAL ID：202003012224200449

過渡電圧抑制素子

発明者： 植木 紀行
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018034132
公開番号（公開出願番号）：WO2019-142394
出願日： 2018年09月14日
公開日（公表日）： 2019年07月25日
要約：

過渡電圧抑制素子は、複数の過渡電圧抑制回路部が配線部で接続されることで構成される過渡電圧抑制回路を備える。複数の過渡電圧抑制回路部は、それぞれツェナーダイオードと第1ダイオードとの直列接続回路を有する複数の第1過渡電圧抑制回路部と、それぞれ第2ダイオードを有する複数の第2過渡電圧抑制回路部とで構成される。そして、第1過渡電圧抑制回路部と第2過渡電圧抑制回路部とは互いに補間する関係で、分散配置される。また、第1過渡電圧抑制回路部は少なくとも一部が対称配置され、第2過渡電圧抑制回路部は少なくとも一部が対称配置される。

請求項（抜粋）：

過渡電圧抑制回路部、配線部および外部接続端子が形成された半導体基板を有し、前記過渡電圧抑制回路部と前記配線部とによって過渡電圧抑制回路が構成された過渡電圧抑制素子であって、 前記外部接続端子は、前記半導体基板の主面に沿って配置された3つ以上の端子であり、 前記過渡電圧抑制回路部は、それぞれツェナーダイオードと第1ダイオードとの直列接続回路を有する複数の第1過渡電圧抑制回路部と、それぞれ第2ダイオードを有する複数の第2過渡電圧抑制回路部とを有し、 前記半導体基板の主面に垂直な方向から平面視して、前記複数の第1過渡電圧抑制回路部が前記複数の第2過渡電圧抑制回路部のうち少なくとも1つの前記第2過渡電圧抑制回路部を挟み、且つ前記複数の第2過渡電圧抑制回路部が前記複数の第1過渡電圧抑制回路部のうち少なくとも1つの前記第1過渡電圧抑制回路部を挟むように、前記複数の第1過渡電圧抑制回路部と前記複数の第2過渡電圧抑制回路部とが配置されており、 前記半導体基板の主面に垂直な方向から平面視して、前記複数の第1過渡電圧抑制回路部は少なくとも一部が対称配置されていて、前記複数の第2過渡電圧抑制回路部は少なくとも一部が対称配置されている、 過渡電圧抑制素子。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (1件)：

H01L27/04 H

Fターム (9件)：

5F038AZ06 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CA06 ,  5F038CA10 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ20