特許
J-GLOBAL ID:202003012256869421
磁気センサ
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
宮崎 昭夫
, 緒方 雅昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-199998
公開番号(公開出願番号):特開2020-067365
出願日: 2018年10月24日
公開日(公表日): 2020年04月30日
要約:
【課題】フリー層の側方に設けられた磁石膜の磁気特性が環境温度によって影響を受けにくい磁気センサを提供する。【解決手段】磁気センサ1は、外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層24と、外部磁場に対して磁化方向が固定されたピンド層22と、ピンド層22とフリー層24との間に位置し、磁気抵抗効果を奏するスペーサ層23と、フリー層24の側方に配置され、フリー層24にバイアス磁場を印加する少なくとも一つの磁石膜25と、を有している。フリー層24のキュリー温度TC_FLと磁石膜25のキュリー温度TC_HMとの間に、0.7≦TC_HM/TC_FL≦1.05の関係がある。【選択図】図2
請求項(抜粋):
外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層と、外部磁場に対して磁化方向が固定されたピンド層と、前記ピンド層と前記フリー層との間に位置し、磁気抵抗効果を奏するスペーサ層と、前記フリー層の側方に配置され、前記フリー層にバイアス磁場を印加する少なくとも一つの磁石膜と、を有し、
前記フリー層のキュリー温度TC_FLと前記磁石膜のキュリー温度TC_HMとの間に
0.7≦TC_HM/TC_FL≦1.05
の関係がある、磁気センサ。
IPC (3件):
G01R 33/09
, H01L 43/08
, G01R 15/20
FI (3件):
G01R33/09
, H01L43/08 B
, G01R15/20 B
Fターム (23件):
2G017AA01
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017BA08
, 2G017BA09
, 2G017CB02
, 2G017CB11
, 2G017CB22
, 2G025EB01
, 2G025EC09
, 5F092AA08
, 5F092AA14
, 5F092AB01
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092BB17
, 5F092BB31
, 5F092BB35
, 5F092BB42
, 5F092BB66
, 5F092BC07
, 5F092BE25
, 5F092BE27
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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